Деловой, научно-технический журнал

Закон Мура жив, закон Мура будет жить!

Закон Мура стал широко известен в узких кругах после того, как в 1965 году Гордон Мур, сооснователь компании Intel, обнародовал своё эмпирическое наблюдение об удвоении количества транзисторов в чипе каждые два года. За прошедшие десятилетия это правило, благодаря развитию технологий и новым решениям системного характера, исправно соблюдалось, с незначительными отклонениями в ту или иную сторону. И всё это время, кто только не предсказывал его конец! Включая, кстати, и самого Мура.

Вроде бы всё логично: есть физические пределы миниатюризации транзисторов, обусловленные размерами атомов кремния, да и общую теорию относительности никто не отменял. Однако в 2011 году Intel Corporation объявила о создании 3D транзистора и о запуске соответствующей технологии, что позволит компании достаточно длительный срок соблюдать закон, названный именем одного из своих основателей.

А вот следующий шаг – создание многомерных структур на основе послойного изготовления чипов - дальше лабораторных образцов не пошёл. Проблема заключается в том, что в промышленных масштабах формирование кремниевых транзисторов происходит при температуре  от 450 до 500 градусов по Цельсию, и добавление каждого следующего слоя приводит к термическому уничтожению предыдущего.

Похоже, что учёным из Массачусетского технологического института (MIT) удалось решить эту задачу, заменив транзисторы из кремния на полевые транзисторы из углеродных нанотрубок (CNFET). Об этом сообщило популярное издание techxplore.com ссылаясь на статью, опубликованную 1 июня 2020 года в журнале Nature Electronics.

CNFET известны уже не первый год, но, несмотря на их очевидную перспективность, до сих пор изготавливались исключительно в исследовательских лабораториях. Научная группа MIT во главе с Максом М. Шулакером, доцентом кафедры электротехники и компьютерных наук, поставила перед собой цель создать промышленную технологию изготовления многослойных чипов на основе CNFET, используя тот факт, что полевые транзисторы из углеродных нанотрубок изготавливаются практически при комнатных температурах.

В разработке участвовали промышленные компании Analog Devices и SkyWater Technology, которые предоставили исследователям своё оборудование для изготовления кремниевых чипов на подложке стандартного размера 200 мм, а также внесли значительный вклад в понимание производственных технологических процессов. Результатом такого содружества стала технология промышленного изготовления CNFET чипов, которая основана на использовании уже существующего оборудования для производства интегральных схем из кремния, но модернизированного под технологию CNFET. Для промышленников это означает возможность значительного сокращения энергопотребления, а для разработчиков конкретных типов микросхем – просто фантастические перспективы, которые сейчас даже трудно себе представить.

Судя по всему, закону Мура в обозримом будущем ничего не угрожает.

Текст: Виктор Леонов

Фото: techxplore.com

 

Наши партнёры

        

 

     

          

      

 

      

 

      

     

User login