Официальные лица IBM и Samsung объявили на конференции IEDM в Сан-Франциско о совместной работе над новым проектом микросхемы на основе кремния, в котором транзисторы добавляются на кристалле вертикально.
В рамках своего заявления они предположили, что их транзисторы с вертикальным транспортным полевым эффектом могут удвоить скорость процессорных микросхем или, альтернативно, снизить потребляемую мощность на 85 процентов.
Для инженеров давно очевидно, что в практическом смысле этот шаг был неизбежен. Конструкция VTFET, разработанная IBM и Samsung, все еще находится в стадии разработки – пока нет никаких микросхем для установки в действующие компьютеры, но она знаменует начало новой эры в вычислительной технике. Читать далее